三电平H桥电路、高压功率单元及高压变频器
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种三电平H桥电路、高压功率单元及高压变频器，涉及变频器技术领域。其中，所述三电平H桥电路包括二极管以及IGBT，所述二极管以及所述IGBT均为独立封装，所述二极管以及所述IGBT均焊接在PCB板上。通过将三电平H桥电路的元器件(二极管以及IGBT)独立封装且焊接于同一PCB板上，一方面能够提高信号传递的稳定性，另一方面，可省去铜排和连接线缆，降低产品的尺寸以及成本。
基本信息
专利标题 ：
三电平H桥电路、高压功率单元及高压变频器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922279796.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-18
授权号 ：
CN210780578U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
乔鹏申大力陈星唐小伟花熙文杜尚琛
申请人 ：
苏州英威腾电力电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区科技城昆仑山路1号
代理机构 ：
深圳市精英专利事务所
代理人 ：
蒋学超
优先权 ：
CN201922279796.X
主分类号 ：
H02M7/00
IPC分类号 ：
H02M7/00 H02M7/483 H02M7/5387
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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