硅铸锭装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种硅铸锭装置，其包括坩埚及遮盖于所述坩埚上方的盖板，所述盖板的下表面安装有一导流件，所述导流件呈倒置的漏斗状。与现有技术相比，本实用新型通过在盖板下方设置导流件，以在气体回流路径中增加阻挡，使得腔体内气流变成三个涡旋，以此改善进气路径，将腔体气流划分为三部分，改善腔体内涡旋分布，有利于将氧元素顺利排出腔体。
基本信息
专利标题 ：
硅铸锭装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922329291.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-23
授权号 ：
CN212077200U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
李林东王全志陈伟唐珊珊
申请人 ：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 ：
北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张相钦
优先权 ：
CN201922329291.X
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B11/00 C30B28/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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