一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关
授权
摘要
本实用新型公开了一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关，属于射频集成电路技术领域。该开关由三个NMOS晶体管、三个片上电阻器、三个片上电感器、一个片上电容器、射频发射端口、射频接收端口、天线端口、收发选择控制端口和接地端口组成，其中，TX支路由两个NMOS晶体管和两个片上电阻组成Cascode并联结构，RX支路由一个NMOS晶体管和一个片上电阻组成单晶体管并联结构。本实用新型能够有效降低TX支路的损耗、提升TX支路的线性度有利于TX通道的功率传输，可用于毫米波超宽带相控阵系统前端实现高集成度、高性能的收发切换。
基本信息
专利标题 ：
一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922336138.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-23
授权号 ：
CN210640865U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
杨格亮廖春连陈明辉王旭东魏伟吴迪
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市中山西路589号中国电子科技集团公司第五十四研究所微系统中心
代理机构 ：
河北东尚律师事务所
代理人 ：
王文庆
优先权 ：
CN201922336138.X
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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