半导体器件
授权
摘要
提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：半导体衬底；和设置在所述半导体衬底上的钝化膜，所述钝化膜包括第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，其中，所述第一钝化层设置在所述半导体衬底上，所述第二钝化层设置在所述第一钝化层远离所述半导体衬底的一侧，所述第三钝化层设置在所述第二钝化层远离所述半导体衬底的一侧，所述第二钝化层在所述半导体衬底上的正投影覆盖所述第一钝化层在所述半导体衬底上的正投影，并且所述第二钝化层在所述半导体衬底上的正投影的面积大于所述第一钝化层在所述半导体衬底上的正投影的面积。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922361703.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-24
授权号 ：
CN210956679U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
陈雨雁范娅玲韦晓波
申请人 ：
力特半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区硕放振发六路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张琛
优先权 ：
CN201922361703.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/02
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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