一种提升P型双面电池双面率的背膜结构
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摘要
本实用新型公开一种提升P型双面电池双面率的背膜结构，包括电池片，电池片的背面依次沉积有氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化硅膜，氮化硅膜包括上层氮化硅膜、中层氮化硅膜、下层氮化硅膜，上、中、下三层氮化硅膜的厚度逐渐升高，折射率逐渐降低，氮化硅膜的总膜厚为35至55纳米，氮化硅膜的总折射率为2.12至2.20，通过本实用新型改进背面膜层结构以及优化镀膜工艺，有效的降低电池片背面的反射率，增加光的吸收，提升P型双面SE PERC电池的背面转换效率，P型双面SE PERC电池的双面率由72.9%提至74.14%，显著提高了产品的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种提升P型双面电池双面率的背膜结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922368456.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-25
授权号 ：
CN211208454U
授权日 ：
2020-08-07
发明人 ：
胡茂界丁晨陈刚
申请人 ：
浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇好派路655号
代理机构 ：
浙江杭州金通专利事务所有限公司
代理人 ：
金丽英
优先权 ：
CN201922368456.4
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/048 H01L31/068 H01L31/18
法律状态
2020-08-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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