一种涡流抑制结构
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摘要
本实用新型涉及一种涡流抑制结构，包括磁致伸缩层，还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层设置于所述磁致伸缩层内，用于打断涡流从而抑制体声波磁电天线涡流损耗。本实用新型在磁致伸缩层中插入绝缘介质层来减小涡流损耗，使体声波磁电天线的辐射效率提高，解决了现有技术方案中空气隙间隔磁致伸缩层导致应力不连续、磁电天线辐射效率低的问题。使用绝缘介质层作为间隔层可以改善磁致伸缩层的软磁特性，有效降低磁致伸缩层的矫顽力，提高辐射区的灵敏度。通过仿真分析，该方案可以有效减小涡流损耗65％以上，大幅地提高磁电天线的辐射效率。
基本信息
专利标题 ：
一种涡流抑制结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922381538.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-26
授权号 ：
CN211376925U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
彭春瑞李君儒陈锶高杨任万春
申请人 ：
四川爆米微纳科技有限公司
申请人地址 ：
四川省绵阳市涪城区青龙大道59号(西南科技大学国家大学科技园)
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
蒋杰
优先权 ：
CN201922381538.2
主分类号 ：
H01Q1/36
IPC分类号 ：
H01Q1/36 H01Q1/38 C23C14/35 C23C14/06 C23C14/08 C23C14/04
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法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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