一种增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：将基底清洗干净后烘干，然后于真空条件下用等离子体对基片进行预清理；在预清理后的基底表面沉积FeGaB磁致伸缩薄膜层，然后在FeGaB磁致伸缩薄膜层表面沉积Al2O3绝缘薄膜层；重复上述操作，制得FeGaB磁致伸缩薄膜层和Al2O3绝缘薄膜层交替设置的复合薄膜；对制得的复合薄膜进行蚀刻，制得磁致伸缩复合膜。该复合膜可有效解决现有的磁致伸缩复合膜存在的涡流损耗抑制效率低、磁致伸缩特性易退化的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114438448A
申请号 ：
CN202210101335.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任万春陈锶顾志均李金桐董红梅甘秀秀李建波李君儒高杨
申请人 ：
四川爆米微纳科技有限公司
申请人地址 ：
四川省绵阳市涪城区青龙大道59号(西南科技大学国家大学科技园)
代理机构 ：
成都正德明志知识产权代理有限公司
代理人 ：
雷正
优先权 ：
CN202210101335.7
主分类号 ：
C23C14/06
IPC分类号 ：
C23C14/06 C23C14/08 C23C14/34 C23C14/58 H01L41/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/06
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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