一种励磁系统可控硅阻容吸收电路

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摘要

本实用新型提供了一种励磁系统可控硅阻容吸收电路；包括阻容吸收电路、可控硅回路，所述可控硅回路和阻容吸收电路并联，并联的一端与励磁变压器副边交流铜排连接，另一端与励磁变压器的直流铜排连接，阻容吸收电路、可控硅回路均安装在整流柜内，所述阻容吸收电路中的电阻和电容在整流柜内分体安装，通过阻容吸收电路使励磁系统可控硅阻容参数更符合励磁系统实际要求，吸收过电压及毛刺电压更可靠、有效，能更好的抑制可控硅换相过电压，减少过电压对一次设备及可控硅的不利影响，电阻实际功耗降低。

基本信息

专利标题：

一种励磁系统可控硅阻容吸收电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922382125.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-26

授权号：

CN211266758U

授权日：

2020-08-14

发明人：

江滋新王东赵生军胡含曹宇黄楚筠王靖元徐天俊刘海兵龚登科

申请人：

贵州黔东电力有限公司

申请人地址：

贵州省黔东南苗族侗族自治州镇远县青溪镇五里牌

代理机构：

贵州派腾知识产权代理有限公司

代理人：

汪劲松

优先权：

CN201922382125.6

主分类号：

H02M1/34

IPC分类号：

H02M1/34