低插损高平衡性射频正交信号发生结构
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摘要
一种低插损高平衡性射频正交信号发生结构，涉及射频电路技术领域，所解决的是现有结构插入损耗大及信号精度低的技术问题。该结构包括差分信号正输入端、差分信号负输入端、第一电阻、第二电阻，及四个正交信号输出端，所述差分信号正输入端通过第一导线接到第一正交信号输出端，第二正交信号输出端、第二导线、第一电阻、第二电阻、第三导线、第三正交信号输出端依序串接，差分信号负输入端通过第四导线接到接到第四正交信号输出端；所述第一导线中的局部线段与第二导线中的局部线段形成耦合传输线段；所述第三导线中的局部线段与第四导线中的局部线段形成耦合传输线段。本实用新型提供的结构，特别适合应用于集成电路。
基本信息
专利标题 ：
低插损高平衡性射频正交信号发生结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922429381.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN210724695U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
田彤孙宏杰陶李袁圣越赵辰牛嘉宝
申请人 ：
麦堆微电子技术（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区平城路1455号新微大厦B座301室
代理机构 ：
上海骁象知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵峰
优先权 ：
CN201922429381.6
主分类号 ：
H03D7/14
IPC分类号 ：
H03D7/14 H03D7/16
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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