半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开了半导体器件，其可包括单光子雪崩二极管像素阵列。单光子雪崩二极管SPAD像素可能能够检测单个光子。为了改善动态范围，可将光衰减层结合到半导体器件中。光衰减层可根据已知比率选择性地衰减通过以选择SPAD像素的入射光。系统中的处理电路可确定对于由接收衰减光的SPAD像素检测到的每一个光子，实际上根据该比率接收更多入射光子。这样，可准确地检测到高光子通量。由具有低衰减的光衰减元件覆盖的SPAD像素可对低入射光水平敏感。由具有高衰减的光衰减元件覆盖的SPAD像素可对高入射光水平敏感。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922449052.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN211404506U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
U·博提格
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张玮
优先权 ：
CN201922449052.8
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 G01J11/00
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法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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