开关电源用整流二极管
授权
摘要
本实用新型涉开关电源用整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅环，高掺杂P型硅层和外环高掺杂N型硅环中间有一个高掺杂P型硅基环；所述高掺杂P型硅基环和高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环横向距离相等，所述低掺杂的N型硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积石墨烯层。本实用新型的开关电源用整流二极管反向恢复时间短，开关特性好，适用于高速开关型电源。
基本信息
专利标题 ：
开关电源用整流二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922467605.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211507643U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
崔峰敏
申请人 ：
傲迪特半导体（南京）有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区润华路3号
代理机构 ：
江苏致邦律师事务所
代理人 ：
徐蓓
优先权 ：
CN201922467605.2
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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