一种CMOS工艺脉冲产生电路结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种CMOS工艺脉冲产生电路结构，包括：多级RC延时网络；RC延时网络的每一级包括：基极相互连接的PMOS管和NMOS管；输出端与所述PMOS管和NMOS管基极连接的反相器；以及输入端与所述PMOS管和NMOS管基极连接的反相器同时该反相器的输出端作为RC延时网络的信号输入端；RC延时网络的输出端连接异或门的输入端，异或门的输出端连接反相器的输入端，本方案相对现有技术而言能够简化蜂鸣器电路结构。
基本信息
专利标题 ：
一种CMOS工艺脉冲产生电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922470985.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN210927602U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
李湘春徐兴蓝龙伟胡锦
申请人 ：
苏州锐控微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州高新区科技城科灵路78号
代理机构 ：
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
汤东凤
优先权 ：
CN201922470985.5
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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