红外传感器件
授权
摘要
本申请公开了一种红外传感器件，该红外传感器件包括：衬底，用于制作红外传感器芯片；以及绝缘叠层结构，位于衬底上，作为复合红外吸收层吸收红外波，其中，绝缘叠层结构包括第一氮化硅层、第二氮化硅层以及位于第一氮化硅层与第二氮化硅层之间的氧化硅层。该红外传感器件通过氮化硅、氧化硅和氮化硅复合膜层结构制作出了粘附性高、抗腐蚀能力强、重复性好、热导性高的红外吸收膜层。与现有技术相比，制造本实用新型的红外传感器件时不需要另外再购置设备以及采购IC标准工艺中不涉及的镍黑、镍铬等特种材料，降低产线成本。同时氮化硅、氧化硅和氮化硅复合膜层结构成本低、无污染、可作为量产工艺手段。
基本信息
专利标题 ：
红外传感器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922487349.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211920871U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
孙伟闻永祥刘琛逯永建
申请人 ：
杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街（东）308号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN201922487349.3
主分类号 ：
B81B7/02
IPC分类号 ：
B81B7/02 B81C1/00 H01L31/101 H01L31/0216
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
B81B7/02
包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
