用于测序的设备

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摘要

示例设备包括与顺式电极相关联的顺式井、与反式电极相关联的反式井以及位于顺式井与反式井之间的场效应晶体管(FET)。场效应晶体管(FET)的示例包括限定在其中的流体系统。流体系统包括面向顺式井的第一腔、与反式井流体连接的第二腔以及从第一腔延伸穿过场效应晶体管的通孔。第一纳米级开口将顺式井和第一腔流体连接，第一纳米级开口具有内径。第二纳米级开口将通孔和第二腔流体连接，第二纳米级开口具有内径。第二纳米级开口内径大于第一纳米级开口内径。

基本信息

专利标题：

用于测序的设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111094976A

申请号：

CN201980003304.4

公开（公告）日：

2020-05-01

申请日：

2019-02-13

授权号：

CN111094976B

授权日：

2022-05-13

发明人：

B·博扬诺瓦J·冈拉克

申请人：

伊鲁米纳公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

李春辉

优先权：

CN201980003304.4

主分类号：

G01N33/487

IPC分类号：

G01N33/487 G01N27/414