一种荧光薄膜传感器的制备方法
授权
摘要
本申请实施例所公开的一种荧光薄膜传感器的制备方法，该方法包括获取基底，采用紫外臭氧清理设备对基底的上表面进行照射，得到改性后的基底，在改性后的基底的上表面制备荧光传感薄膜，得到荧光薄膜传感器。基于本申请实施例，通过紫外臭氧对制备薄膜的基底进行处理，与未经处理的传感器相比，能够提高传感材料的荧光传感器，增强荧光信号变化率，进行能够提高传感器的传感性能，操作工艺简单，成本低廉，具有普适性。
基本信息
专利标题 ：
一种荧光薄膜传感器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111721744A
申请号 ：
CN202010062428.4
公开（公告）日 ：
2020-09-29
申请日 ：
2020-01-19
授权号 ：
CN111721744B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
程建功付艳艳
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN202010062428.4
主分类号 ：
G01N21/64
IPC分类号 ：
G01N21/64 B82Y15/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
G01N21/64
荧光；磷光
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-10-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/64
申请日 : 20200119
申请日 : 20200119
2020-09-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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