氧化镓薄膜氢气传感器制备方法及氧化镓薄膜氢气传感器
公开
摘要
本发明公开一种氧化镓薄膜氢气传感器制备方法及氧化镓薄膜氢气传感器，该方法包括：对FTO玻璃基底的导电面进行清洗和干燥处理，在干燥后的FTO玻璃基底的导电面贴上绝缘胶带，以绝缘胶带覆盖区域作为电极；对FTO玻璃基底进行臭氧清洗；将臭氧清洗后的FTO玻璃基底置于含有镓离子的水热反应溶液中进行水热反应，以在FTO玻璃基底的导电面生长出氧化镓纳米阵列薄膜；对氧化镓纳米阵列薄膜进行退火处理，之后将掩膜版覆盖在所述氧化镓纳米阵列薄膜表面制备顶电极；然后去除绝缘胶带，露出底电极；从而获得附着有氧化镓纳米阵列薄膜层的氢气传感器。
基本信息
专利标题 ：
氧化镓薄膜氢气传感器制备方法及氧化镓薄膜氢气传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114577863A
申请号 ：
CN202210206424.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨旭罗传仙文豪周正钦黄勤清邱虎张静周盟陈佳郑一鸣
申请人 ：
国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网电力科学研究院有限公司;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院;国网浙江省电力有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞瑜路143号
代理机构 ：
武汉开元知识产权代理有限公司
代理人 ：
潘杰
优先权 ：
CN202210206424.8
主分类号 ：
G01N27/12
IPC分类号 ：
G01N27/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
G01N27/12
与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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