一种旁热式硅基薄膜催化氢气传感器及其加工方法
授权
摘要
本发明提供一种旁热式硅基薄膜催化氢气传感器,本氢气传感器通过MEMS加工工艺获得,包括硅基底,所述硅基底上表面设有绝热层,所述硅基底下表面开有一个或一对延伸至所述绝热层的绝热槽,所述绝热层表面设有一对高电阻温度系数材料组成的加热线圈,所述加热线圈内侧、外侧或上方设有催化薄膜层,所述催化薄膜层其一表面覆盖有一层耐高温介质层,其二表面留空,所述绝热层外圈设有贵金属薄膜电阻。本发明提供的氢气传感器可以同时在催化燃烧和热导两种模式下工作,体积小,功耗低,响应快,使用寿命长。
基本信息
专利标题 :
一种旁热式硅基薄膜催化氢气传感器及其加工方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112034005A
申请号 :
CN202010936802.9
公开(公告)日 :
2020-12-04
申请日 :
2020-09-08
授权号 :
CN112034005B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
沈方平
申请人 :
苏州芯镁信电子科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市吴中区东吴北路8号国裕大厦一期1504-3室
代理机构 :
南京常青藤知识产权代理有限公司
代理人 :
黄胡生
优先权 :
CN202010936802.9
主分类号 :
G01N25/32
IPC分类号 :
G01N25/32 G01N27/16 B82Y15/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N25/00
应用热方法测试或分析材料
G01N25/20
通过测量热的变化,即量热法,例如通过测量比热,测量热导率
G01N25/22
燃烧或催化氧化作用,例如,气体混合物的组分
G01N25/28
直接测量由于燃烧产生的气体温度的升高
G01N25/30
利用电动式温度响应元件
G01N25/32
利用热电元件
法律状态
2022-05-10 :
授权
2020-12-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 25/32
申请日 : 20200908
申请日 : 20200908
2020-12-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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