基于超薄二维氧化锡的氢气传感器及制作方法
公开
摘要
本发明设计基于超薄二维氧化锡的氢气传感器及制作方法，是通过液态金属范德华力剥离法，在液态Sn表面剥离出SnO超薄二维材料，再退火氧化，制成稳定的SnO2，易于MEMS兼容以及集成。具体制作方法包括：在低氧环境下的手套箱中于石英管内放入Sn粉并抽真空后封装；约600℃的炉中烧结Sn粉；Sn块及Sn颗粒加热熔融，再分离出液态Sn；用载玻片挤压液态Sn，使液态Sn与Si/SiO2衬底接触，将Sn氧化薄膜转移到Si/SiO2衬底上；制成基于SnO超薄二维材料氢敏器件；再在约300℃环境下退火氧化。制成的氢气传感器能够探测浓度低至40ppm的氢气，灵敏度高，制作工艺简单，易于大规模工业化生产。
基本信息
专利标题 ：
基于超薄二维氧化锡的氢气传感器及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114371196A
申请号 ：
CN202111360496.X
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王钊杨焱李志伟胡永明顾豪爽
申请人 ：
湖北大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
代理机构 ：
武汉帅丞知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱必武
优先权 ：
CN202111360496.X
主分类号 ：
G01N27/12
IPC分类号 ：
G01N27/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
G01N27/12
与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻
法律状态
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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