氧化钼纳米片的增敏处理方法及电阻型硫化氢气体传感器
公开
摘要
本发明提供氧化钼纳米片的增敏处理方法及电阻型硫化氢气体传感器，将氧化钼纳米片MoO3与溶剂混合形成悬浮液后进行紫外光辐射，然后干燥使溶剂蒸发，得到的氧化钼粉末能够有效提高对硫化氢的敏感性，用于硫化氢气体传感器能够提高对硫化氢的检测灵敏度，对50ppb硫化氢气体的电阻响应大于1。另外，通过调节紫外光照射时间与传感器工作温度能够兼顾电阻响应与电阻恢复性能，具有良好的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
氧化钼纳米片的增敏处理方法及电阻型硫化氢气体传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114620767A
申请号 ：
CN202210251087.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董梦云满其奎李润伟伊晓辉胡海青陈淑文
申请人 ：
宁波磁性材料应用技术创新中心有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区庄市街道光明路189号
代理机构 ：
宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
赵兴华
优先权 ：
CN202210251087.4
主分类号 ：
C01G39/02
IPC分类号 ：
C01G39/02 B82Y40/00 G01N27/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G39/00
钼的化合物
C01G39/02
氧化物；氢氧化物
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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