MEMS一氧化碳传感器气敏薄膜及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种MEMS一氧化碳传感器气敏薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：将二氧化锡靶材和金靶材分别安装在磁控溅射仪的不同的磁控溅射靶上，将高纯度的氩气接入磁控溅射仪的进气口，将微加热板放入磁控溅射仪内，调整磁控溅射靶与微加热板之间的溅射距离H；S2：将磁控溅射仪的工作靶材选为二氧化锡靶材，开启磁控溅射仪的总电源，开始抽真空，将真空室的气压调整至5*10‑3Pa以下，设置微加热板的温度为25℃；S3：打开射频溅射电源开始在微加热板表面镀二氧化锡薄膜；S4：镀二氧化锡薄膜结束后，在二氧化锡薄膜表面镀金薄膜；镀金薄膜结束后，得到金修饰的二氧化锡气敏薄膜。利用本发明，能够提高MEMS一氧化碳传感器的响应灵敏度、稳定性，并能够批量化制备MEMS一氧化碳传感器。
基本信息
专利标题 ：
MEMS一氧化碳传感器气敏薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114624293A
申请号 ：
CN202111149527.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贺耀宜张振王海波张清周李兵颜培宇王芳张海庆胡文涛张一波
申请人 ：
天地（常州）自动化股份有限公司;中煤科工集团常州研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区黄河西路219号
代理机构 ：
常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱丽莎
优先权 ：
CN202111149527.7
主分类号 ：
G01N27/12
IPC分类号 ：
G01N27/12 C23C14/35 C23C14/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
G01N27/12
与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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