气敏材料及制备方法和其在NH3气敏...
公开
摘要
本发明提供一种基于MoO3@MoS2/PTH的复合材料、制备方法和在氨气气体气敏传感器的应用，涉及气体检测领域，其中，MoO3@MoS2占MoO3@MoS2/PTH质量分数的20％；其工作温度为室温，对50ppm的氨气气体灵敏度达到1.4；制备方法如下：首先通过水热法制备出花状MoO3，以MoO3为前驱体制备出MoO3@MoS2，然后通过原位聚合法制备出MoO3@MoS2/PTH气敏材料；将MoO3@MoS2/PTH材料涂覆于金电极包覆的Al2O3陶瓷管表面制成气敏元件。本发明利用原位聚合法制备的MoO3@MoS2/PTH的气敏材料对氨气具有较高的灵敏度，较快的响应时间和恢复时间。
基本信息
专利标题 ：
气敏材料及制备方法和其在NH3气敏传感器中的应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609197A
申请号 ：
CN202210299257.6
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周国云周慧敏何为王守绪李婧马朝英郭珊
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202210299257.6
主分类号 ：
G01N27/12
IPC分类号 ：
G01N27/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
G01N27/12
与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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