原位合成铜纳米线阵列材料及其制备方法和应用
授权
摘要
本发明提供原位合成铜纳米线阵列材料及其制备方法和应用,将氧化铜纳米线阵列置于分离的两室反应电解池中,在空气氛围下,以氧化铜纳米线阵列为工作电极,汞/氧化汞为参比电极,铂片为对电极,电解溶液为0.5M K2CO3的乙腈和氘代水的混合溶液,其中,乙腈的体积占混合溶液总体积的30‑70%,氘代水的体积占混合溶液总体积的30‑70%,在扫描速度为8‑12mV/s,扫描电压为‑0.4~‑1.4V的范围内进行循环伏安测试,直至氧化铜的还原峰消失,即得到原位合成铜纳米线阵列材料。本发明通过原位转化的方法合成了铜纳米线阵列(Cu NWAs)材料,以铜纳米线阵列(Cu NWAs)材料为电化学反应的阴极,利用一种简便的电化学还原方法以氘代水为氘源实现了C‑X/C‑D的高效转化。
基本信息
专利标题 :
原位合成铜纳米线阵列材料及其制备方法和应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113322490A
申请号 :
CN202010131052.8
公开(公告)日 :
2021-08-31
申请日 :
2020-02-28
授权号 :
CN113322490B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
张兵韩舒艳刘翠波李孟阳
申请人 :
天津大学
申请人地址 :
天津市南开区卫津路92号
代理机构 :
天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王秀奎
优先权 :
CN202010131052.8
主分类号 :
C25C1/12
IPC分类号 :
C25C1/12 B22F1/00 C25B1/01 C25B3/25 C25B11/04 C25B3/09 C01G3/02 B82Y30/00 B82Y40/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C25
电解或电泳工艺;其所用设备
C25C
电解法生产、回收或精炼金属的工艺;其所用的设备
C25C1/00
由溶液电解法电解生产、回收或精炼金属
C25C1/12
铜的
法律状态
2022-05-24 :
授权
2021-09-17 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C25C 1/12
申请日 : 20200228
申请日 : 20200228
2021-08-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN113322490A.PDF
PDF下载