过渡金属离子填充OMS-2纳米棒的制备方法和应用
授权
摘要
本发明为过渡金属离子填充OMS‑2纳米棒的制备方法和应用。该方法包括以下步骤：将高锰酸钾与硫酸锰溶于去离子水，再加入M盐，所述的M盐中，元素M为镍、钴或铁；盐为硝酸盐、盐酸盐、或硫酸盐。160‑190℃保温4‑16小时后，离心收集，依次用水洗、醇洗后，烘干得到过渡金属离子填充OMS‑2纳米棒。本发明得到的过渡金属离子负载的OMS‑2纳米棒过渡金属离子填充量范围大，且不需要污染环境的酸，钴锰原子比可高达0.24：1，具有较低的过电位，高的电流密度和稳定的循环性能。
基本信息
专利标题 ：
过渡金属离子填充OMS-2纳米棒的制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111370715A
申请号 ：
CN202010208466.6
公开（公告）日 ：
2020-07-03
申请日 ：
2020-03-23
授权号 ：
CN111370715B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
杨晓婧郝乙鑫李兰兰于晓飞张兴华卢遵铭
申请人 ：
河北工业大学
申请人地址 ：
天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#
代理机构 ：
天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵凤英
优先权 ：
CN202010208466.6
主分类号 ：
H01M4/90
IPC分类号 ：
H01M4/90 H01M8/083 H01M12/08 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-07-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/90
申请日 : 20200323
申请日 : 20200323
2020-07-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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