一种磁流变阻尼器件内部磁流变液的沉降监测方法
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摘要
本发明公开了一种磁流变阻尼器件内部磁流变液的沉降监测方法，包括如下步骤：1)布置监测磁路结构；2)通过交流电流源向磁路的上、下激励线圈施加交流电流；3)计算当阻尼器内沉降未发生时的监测输出；4)计算当阻尼器内沉降体生成并逐渐累积时的监测输出；本发明通过在阻尼器内缸底部布置监测磁路结构，基于互感变压器式传感原理，能够实时检测阻尼器中磁流变液的的沉降状态。
基本信息
专利标题 ：
一种磁流变阻尼器件内部磁流变液的沉降监测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111578895A
申请号 ：
CN202010314905.1
公开（公告）日 ：
2020-08-25
申请日 ：
2020-04-21
授权号 ：
CN111578895B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
张红辉邹致远苏杭
申请人 ：
重庆大学
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区沙正街174号
代理机构 ：
重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王翔
优先权 ：
CN202010314905.1
主分类号 ：
G01C5/00
IPC分类号 ：
G01C5/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01C
测量距离、水准或者方位；勘测；导航；陀螺仪；摄影测量学或视频测量学
G01C5/00
高程测量；横向视距测量；分开点间的水准测量；水准仪
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-11-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01C 5/00
申请日 : 20200421
申请日 : 20200421
2020-08-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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