一种双层包覆层包覆的硅负极材料及其制备方法和用途
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摘要

本发明提供了一种双层包覆层包覆的硅负极材料及其制备方法和用途;本发明利用在硅粉基材上包覆双层物质构成双壳包覆硅材料,第一层包覆物为过渡金属硫化物,第二层包覆物为碳层,通过控制硅纳米颗粒与过渡金属前驱体的摩尔比以及硅纳米颗粒与碳前驱体质量比,从而达到控制硅纳米颗粒粒径与双层包覆层厚度的比例,以实现较优的能量密度、循环寿命、抑制极片体积膨胀以及较优的安全性。双层包覆层太薄容易造成极片膨胀较大,造成安全性能较差,双层包覆层太厚导致能量密度较低,同时多硫离子穿梭容易造成循环衰减较快,通过包覆碳层降低多硫离子穿梭,提高材料的导电率。

基本信息
专利标题 :
一种双层包覆层包覆的硅负极材料及其制备方法和用途
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111540889A
申请号 :
CN202010383197.7
公开(公告)日 :
2020-08-14
申请日 :
2020-05-08
授权号 :
CN111540889B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
袁号李素丽赵伟李俊义徐延铭
申请人 :
珠海冠宇电池股份有限公司
申请人地址 :
广东省珠海市斗门区井岸镇珠峰大道209号
代理机构 :
北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘元霞
优先权 :
CN202010383197.7
主分类号 :
H01M4/36
IPC分类号 :
H01M4/36  H01M4/38  H01M4/58  H01M4/62  H01M10/0525  
法律状态
2022-04-08 :
授权
2020-09-08 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20200508
2020-08-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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