碳包覆锡纳米线阵列负极材料及其制备方法和应用
公开
摘要
本发明公开了一种碳包覆锡纳米线阵列负极材料及其制备方法和应用，本发明碳包覆锡纳米线阵列负极材料包括导电碳包覆层以及被该导电碳包覆层原位包覆的线状纳米锡或锡合金阵列。线状纳米锡或锡合金阵列具有一定的长度，具有很好的柔软性和弹性，而且线状纳米锡之间存在一定的体积变化的缓冲空间，并且线状材料之间是一种三维网状结构，大大增加接触面积，同时导电碳包覆层是导电层，能有效提升传导电子的速度，而且能保证线状纳米锡在脱嵌锂过程中不断裂，改善锡的体积效应和锡表面不稳定SEI的问题，从而大幅度提升锡负极材料电化学性能；本发明制备方法操作简单，对工艺设备和环境条件要求较低，安全性好，易于大规模生产应用。
基本信息
专利标题 ：
碳包覆锡纳米线阵列负极材料及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583118A
申请号 ：
CN202011378117.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金周黄学杰闫勇胡保安王丕涛
申请人 ：
松山湖材料实验室
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
代理机构 ：
深圳市千纳专利代理有限公司
代理人 ：
陈培琼
优先权 ：
CN202011378117.5
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 H01M4/38 H01M4/62 H01M4/134 H01M10/0525 C01B32/05
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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