一种硅纳米线及其制备方法和应用、锂离子电池负极的制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种硅纳米线及其制备方法和应用、锂离子电池负极的制备方法，属于电极材料技术领域。本发明提供了一种硅纳米线的制备方法，通过对原料浓度、水热反应以及退火处理的条件的限定得到了非晶态硅纳米线，在作为电极材料时不会发生晶型的转变，并且非晶态硅纳米线对体积膨胀的耐受性更好，因此本发明的非晶态硅纳米线作为电极材料时具有良好的循环稳定性。实施例结果表明，采用本发明提供的制备方法制备得到的硅纳米线作为电极材料的半电池在循环1000圈之后库伦效率接近100％。
基本信息
专利标题 ：
一种硅纳米线及其制备方法和应用、锂离子电池负极的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566638A
申请号 ：
CN202210197295.0
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑淞生陈思张叶涵温舒晴王兆林
申请人 ：
厦门大学
申请人地址 ：
福建省厦门市思明区思明南路422号
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
马丛
优先权 ：
CN202210197295.0
主分类号 ：
H01M4/38
IPC分类号 ：
H01M4/38 H01M4/134 H01M4/1395 B82Y40/00 B82Y30/00
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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