银三角环纳米颗粒阵列/单层石墨烯薄膜复合材料及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种银三角环纳米颗粒阵列/单层石墨烯薄膜复合材料及其制备方法，其步骤为：在铜箔上生长单层石墨烯膜；其次，组装单层PS球模板并将其转移至附有单层石墨烯的铜箔上；然后，利用热蒸发沉积银，沉积过程中样品保持匀速转动；最后，去除PS球即可获得单层石墨烯膜上的银三角环纳米颗粒阵列。本发明在单层石墨烯上可控生长银纳米环颗粒阵列，结合了银纳米环阵列和单层石墨烯各自优势及二者的协同作用，有优异的SERS性能，同时是在生长石墨烯的铜箔上原位合成的，避免了石墨烯的破损，保证了其完整性和洁净性。
基本信息
专利标题 ：
银三角环纳米颗粒阵列/单层石墨烯薄膜复合材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111636065A
申请号 ：
CN202010410212.2
公开（公告）日 ：
2020-09-08
申请日 ：
2020-05-15
授权号 ：
CN111636065B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
何辉程建祥范璐瑶杨金彭曾祥华
申请人 ：
扬州大学
申请人地址 ：
江苏省扬州市大学南路88号
代理机构 ：
南京理工大学专利中心
代理人 ：
邹伟红
优先权 ：
CN202010410212.2
主分类号 ：
C23C28/00
IPC分类号 ：
C23C28/00 C23C16/26 C01B32/186 C23C14/02 C23C14/20 C23C14/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C28/00
用不包含在C23C2/00至C23C26/00各大组中单一组的方法，或用包含在C23C小类的方法与C25D小类中方法的组合以获得至少二层叠加层的镀覆
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-10-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 28/00
申请日 : 20200515
申请日 : 20200515
2020-09-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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