管式PECVD设备的进出舟装置及管式PECVD设备
授权
摘要

本发明公开了管式PECVD设备的进出舟装置及管式PECVD设备,装置包括支撑架、传送导轨部分和动力部分,传送导轨部分包括承载载料舟的托盘、炉外托盘导轨、炉内托盘导轨和固定导轨,固定导轨的两端支撑在支撑架上,炉外托盘导轨可移动的设于固定导轨上,托盘可移动的设于炉外托盘导轨上,炉内托盘导轨设于炉体反应室内,动力系统包括托盘导轨推动驱动和托盘推动驱动,托盘导轨推动驱动用于驱动炉外托盘导轨移动以便与炉内托盘导轨对接,托盘推动驱动用于驱动托盘从炉外托盘导轨移动至炉内托盘导轨上。设备包括炉体和炉门系统,炉体内设有反应室,还包括上述的进出舟装置。本发明具有结构稳定、不会发生变形以及缩短取放舟时间的优点。

基本信息
专利标题 :
管式PECVD设备的进出舟装置及管式PECVD设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111455354A
申请号 :
CN202010442285.X
公开(公告)日 :
2020-07-28
申请日 :
2020-05-22
授权号 :
CN111455354B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
肖洁
申请人 :
湖南红太阳光电科技有限公司
申请人地址 :
湖南省长沙市高新开发区桐梓坡西路586号
代理机构 :
湖南兆弘专利事务所(普通合伙)
代理人 :
戴玲
优先权 :
CN202010442285.X
主分类号 :
C23C16/458
IPC分类号 :
C23C16/458  C23C16/513  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2022-05-10 :
授权
2020-08-21 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/458
申请日 : 20200522
2020-07-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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