一种基于单孔隙率流体输运模型的间质内磁流体浓度分布预测方...
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摘要
本发明涉及一种基于单孔隙率流体输运模型的间质内磁流体浓度分布预测方法，通过引入单孔隙率流体输运模型，首先得到组织的间质压力分布；接着以该间质压力分布作为纳维叶‑斯托克斯方程的输入，求解磁流体注射入间质过程中磁流体在间质内的流动速度，之后通过应用对流‑扩散方程便可获得磁流体在组织间质内的浓度分布。本发明假定组织间质为单孔隙率情况下，实现了通过多物理场耦合的方式来模拟磁流体注射过程对间质内磁纳米粒子分布的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种基于单孔隙率流体输运模型的间质内磁流体浓度分布预测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111666692A
申请号 ：
CN202010532488.8
公开（公告）日 ：
2020-09-15
申请日 ：
2020-06-11
授权号 ：
CN111666692B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
汤云东金涛
申请人 ：
福州大学
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
钱莉
优先权 ：
CN202010532488.8
主分类号 ：
G06F30/20
IPC分类号 ：
G06F30/20 G06F113/08
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/20
申请日 : 20200611
申请日 : 20200611
2020-09-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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