PIN感光器件及其制作方法、及显示面板

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摘要

一种PIN感光器件，通过使用钼氧化物等具有价带能级介于本征半导体层和上层电极的价带能级之间的P型半导体层来取代传统的PIN光电二极体中的P型半导体层，使得不需要使用硼烷气体即可制备PIN光电二极体，并且利用P型半导体层与本征半导体层之间的价带能级差来运输位于价带中的电洞，进而不需要使用到薄膜晶体管中的有源层，使得PIN感光器件得以堆叠至薄膜晶体管上，降低显示面板开口率的损失。

基本信息

专利标题：

PIN感光器件及其制作方法、及显示面板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111599879A

申请号：

CN202010533493.0

公开（公告）日：

2020-08-28

申请日：

2020-06-11

授权号：

CN111599879B

授权日：

2022-05-31

发明人：

袁剑峰艾飞宋继越

申请人：

武汉华星光电技术有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司

代理人：

何辉

优先权：

CN202010533493.0

主分类号：

H01L31/0336

IPC分类号：

H01L31/0336 H01L31/105 H01L31/18 H01L27/12