一种宽电压SRAM时序推测快速检错电路及方法
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摘要
本发明提出一种宽电压SRAM时序推测快速检错电路及方法，属于专用集成电路设计技术领域。在位线检测模块中配置两组非对称结构的灵敏放大器，即在第一灵敏放大器的第二浮动节点、第二灵敏放大器的第三浮动节点各连接PMOS管，实现两组灵敏放大器的调制电压具有相反偏置，错误判断模块根据位线检测模块得到的检测正值信号和检测反值信号进行检错，实现对SRAM推测读出正确性的判断，快速得到错误标志信号，降低了存储阵列中弱驱动的存储单元对存储阵列延时的影响，从而可以大幅提高近阈值区SRAM的性能。还有效降低了读操作过程中拖尾现象的负面影响，缩短了SRAM读操作的延迟时间。
基本信息
专利标题 ：
一种宽电压SRAM时序推测快速检错电路及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111524543A
申请号 ：
CN202010560494.4
公开（公告）日 ：
2020-08-11
申请日 ：
2020-06-18
授权号 ：
CN111524543B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
王镇顾东志刘旭东
申请人 ：
南京博芯电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区麒麟天骄路100号侨梦苑9号楼6层
代理机构 ：
南京智造力知识产权代理有限公司
代理人 ：
张明明
优先权 ：
CN202010560494.4
主分类号 ：
G11C29/44
IPC分类号 ：
G11C29/44 G11C29/14 G11C29/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置
G11C29/44
错误指示或识别，例如，修复
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-09-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/44
申请日 : 20200618
申请日 : 20200618
2020-08-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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