一种宽电压SRAM时序跟踪电路
授权
摘要
本发明提出一种宽电压SRAM时序跟踪电路，属于专用集成电路设计技术领域。采用放电切换模块和可配置型SRAM时序逻辑模块实现具有时序跟踪能力的放电切换操作，通过轮流使能复制字线来控制复制位线轮流放电，从而产生周期性的时钟脉冲信号，信号的周期是复制位线放电的延时和。本发明提出的宽电压SRAM时序跟踪电路，有效降低灵敏放大器SAE使能延时变化，提高电路抗工艺偏差能力；放电切换模块动态调节复制单元字线电压，进一步提高电路抗工艺偏差能力；放电切换模块能够检测恒定放电阈值电压，提高电路的电压跟踪性能。
基本信息
专利标题 ：
一种宽电压SRAM时序跟踪电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021005077.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-04
授权号 ：
CN212724727U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
王镇顾东志杨亮亮
申请人 ：
思诺威科技（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区弘毅路8号金帛座602室
代理机构 ：
南京智造力知识产权代理有限公司
代理人 ：
张明明
优先权 ：
CN202021005077.5
主分类号 ：
G11C11/412
IPC分类号 ：
G11C11/412 G11C11/417
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/412
只使用场效应晶体管的
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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