一种预锂化硅基薄膜负极材料及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种预锂化硅基薄膜负极材料及其制备方法，包括沉积在集流体上的硅基薄膜，所述硅基薄膜和集流体之间沉积有里层碳薄膜，金属锂薄膜沉积在所述硅基薄膜上，所述金属锂薄膜上沉积有外层碳薄膜；本发明制得的硅基薄膜负极材料的体积膨胀效应低、循环性能优异、安全性能优异，并且本发明通过真空磁控溅射技术直接在集流体上一步法制备硅基负极薄膜，省去了传统电极制备过程中制浆，涂覆，辊压，烘干等步骤，有效简化了工艺流程，降低了制造成本和品控风险。
基本信息
专利标题 ：
一种预锂化硅基薄膜负极材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111653727A
申请号 ：
CN202010616045.7
公开（公告）日 ：
2020-09-11
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN111653727B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
张长安曹新龙杨时峰薛孟尧胥鑫田占元
申请人 ：
陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请人地址 ：
陕西省西安市航天基地航天南路与神舟六路口东北角
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
李鹏威
优先权 ：
CN202010616045.7
主分类号 ：
H01M4/134
IPC分类号 ：
H01M4/134 H01M4/38 H01M4/62 H01M4/04 H01M4/1395 H01M10/0525 C23C14/02 C23C14/06 C23C14/16 C23C14/35
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/134
申请日 : 20200630
申请日 : 20200630
2020-09-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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