基于硅基刻蚀的超导光学探测器与光纤对准方法及装置
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摘要

本申请涉及一种基于硅基刻蚀的超导光学探测器与光纤对准方法及装置。对第一基底进行刻蚀,制备光纤位置通孔,并在第一基底的表面制备多个间隔设置的第一标记。多个第一标记与光纤位置通孔之间形成相对位置关系。在第二基底的表面制备单光子吸收膜时,以第二基底作为超导单光子探测器的衬底,采用制备超导单光子探测器的制备工艺进行制备。此时,多个第二标记与单光子吸收膜之间形成相对位置关系,并和多个第一标记与光纤位置通孔的相对位置关系相同。进而,通过将多个第一标记与多个第二标记一一对应,即可实现将光纤位置通孔与单光子吸收膜的对准。从而,将光纤直接放置于光纤位置通孔中,即可实现与单光子吸收膜对准。

基本信息
专利标题 :
基于硅基刻蚀的超导光学探测器与光纤对准方法及装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111948765A
申请号 :
CN202010631206.X
公开(公告)日 :
2020-11-17
申请日 :
2020-07-03
授权号 :
CN111948765B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
王雪深钟青李劲劲徐骁龙陈建钟源曹文会王仕建
申请人 :
中国计量科学研究院
申请人地址 :
北京市朝阳区北三环东路18号
代理机构 :
北京华进京联知识产权代理有限公司
代理人 :
颜潇
优先权 :
CN202010631206.X
主分类号 :
G02B6/42
IPC分类号 :
G02B6/42  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导;包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/24
光波导的耦合
G02B6/42
光波导与光电元件的耦合
法律状态
2022-04-08 :
授权
2020-12-04 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 6/42
申请日 : 20200703
2020-11-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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