激光器的形成方法和形成设备

授权

摘要

本申请实施例提供一种激光器的形成方法和形成设备，其中，所述方法包括：提供基板组件，所述基板组件包括基板和预固定于所述基板特定区域的焊料；将所述基板组件置于待处理激光器底座的底座共晶面上，并对所述基板组件进行加热，以使得所述基板组件中的所述焊料处于熔融状态；将所述焊料处于熔融状态的基板组件，置于所述底座共晶面和所述待处理激光器底座的管脚之间，以通过所述熔融状态的焊料连接所述基板与所述管脚，形成处理后的激光器底座；在所述处理后的激光器底座上连接激光器芯片，以形成所述激光器。通过本申请实施例，能够提高最终形成的激光器的气密性和可靠性，且降低生产难度，减小生产成本。

基本信息

专利标题：

激光器的形成方法和形成设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111934188A

申请号：

CN202010653223.3

公开（公告）日：

2020-11-13

申请日：

2020-07-08

授权号：

CN111934188B

授权日：

2022-06-10

发明人：

桂勇梁飞

申请人：

武汉光迅科技股份有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司

代理人：

崔晓岚

优先权：

CN202010653223.3

主分类号：

H01S5/02

IPC分类号：

H01S5/02 H01S5/022 B23K31/02