一种半导体热处理真空炉热场结构
授权
摘要
本发明公开了一种半导体热处理真空炉热场结构,包括底座,所述底座顶部的一侧设置有保温仓,所述保温仓内部两侧的顶部和底部对称设置有滑轨,两组所述滑轨的内部皆设置有与其相互配合的滑块,两组所述滑块相互靠近的一侧共同设置有安装框,所述安装框内部的两侧和顶部皆均匀设置有导热管,所述保温仓内部底部的中间位置处设置有伺服电机B,所述伺服电机B的输出端延伸至安装框的内部并设置有放置板;本发明装置通过保温仓、放置板、控制面板、导热管、伺服电机B和安装框的相互配合,可使物料在测试时受热更加均匀,使其检测效果更加精准,还可减少操作人员操作时间。
基本信息
专利标题 :
一种半导体热处理真空炉热场结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111964444A
申请号 :
CN202010685919.4
公开(公告)日 :
2020-11-20
申请日 :
2020-07-16
授权号 :
CN111964444B
授权日 :
2022-06-07
发明人 :
于江水
申请人 :
大同新成新材料股份有限公司
申请人地址 :
山西省大同市新荣区花园屯村
代理机构 :
太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
杨凯
优先权 :
CN202010685919.4
主分类号 :
F27B17/02
IPC分类号 :
F27B17/02 F27D9/00 F27D11/00
IPC结构图谱
F
F部——机械工程;照明;加热;武器;爆破
F27
炉;窑;烘烤炉;蒸馏炉
F27B
一般馏炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉;开式烧结设备或类似设备
F27B
一般馏炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉;开式烧结设备或类似设备
F27B17/00
不包含在F27B 1/00至F27B 15/00中任一组的炉
F27B17/02
专门供实验室用的
法律状态
2022-06-07 :
授权
2020-12-08 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : F27B 17/02
申请日 : 20200716
申请日 : 20200716
2020-11-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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