减少半导体照明荧光元件热量聚集的转化器制造方法及系统
授权
摘要
本发明公开了一种减少半导体照明荧光元件热量聚集的转化器制造方法及系统,该方法步骤包括:统计所用材料的属性参数,计算不同浓度荧光元件的等效导热率并建立荧光元件的热阻模型;计算不同粒径颗粒对不同波长的散射截面、散射系数、吸收截面和吸收系数;计算荧光元件不同深度上的荧光激发的光线能量及转化后的热量;设定初始化荧光粉浓度参数以及需要进行浓度优化的梯度浓度区域;根据荧光粉浓度参数及需要优化的梯度浓度区域,在热阻模型中代入荧光元件产生热量值计算荧光元件梯度浓度区域最高温度值;判断每一个浓度区域最高温度值是否小于设定要求。本发明综合考虑等效导热率以及多荧光颗粒光热转化率,匹配激发光源光型,避免荧光元件高发热的浓度区域发生,同时不改变转化后的光强分布、光谱强度等性能。
基本信息
专利标题 :
减少半导体照明荧光元件热量聚集的转化器制造方法及系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111881586A
申请号 :
CN202010750048.X
公开(公告)日 :
2020-11-03
申请日 :
2020-07-30
授权号 :
CN111881586B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
丁鑫锐梁怡富汤勇李宗涛余彬海
申请人 :
华南理工大学
申请人地址 :
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 :
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 :
李斌
优先权 :
CN202010750048.X
主分类号 :
G06F30/20
IPC分类号 :
G06F30/20 G06F119/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-05-24 :
授权
2020-11-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/20
申请日 : 20200730
申请日 : 20200730
2020-11-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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