一种晶面选择性生长勃姆石及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种晶面选择性生长勃姆石及其制备方法。本发明采用成核反应器将含表面活性剂的铝盐与碱溶液瞬间成核，并调整成核反应器的参数以及表面活性剂种类来强化晶体成核环境。在成核过程中，表面活性剂被吸附在勃姆石的非(020)晶面上，抑制了晶面生长，从而使得到的勃姆石具有高(020)晶面选择性暴露比。该方法制备的勃姆石吸附性能强的(020)晶面暴露比为55％～80％，颗粒尺寸小和比表面积大等特点；其对刚果红的最大吸附量为900～1300mg/g，是目前文献报道勃姆石材料对刚果红的最大吸附容量值。该方法具有操作简单、成本低、放大效应小和适合规模化生产等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种晶面选择性生长勃姆石及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111924865A
申请号 ：
CN202010775859.5
公开（公告）日 ：
2020-11-13
申请日 ：
2020-08-05
授权号 ：
CN111924865B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
冯拥军李子甲李殿卿唐平贵
申请人 ：
北京化工大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区北三环东路15号
代理机构 ：
北京恒和顿知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙伯庆
优先权 ：
CN202010775859.5
主分类号 ：
C01F7/02
IPC分类号 ：
C01F7/02 B01J20/08 C02F1/28 B01J20/30 B82Y40/00 C02F101/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01F
金属铍、镁、铝、钙、锶、钡、镭、钍的化合物，或稀土金属的化合物
C01F7/00
铝的化合物
C01F7/02
氧化铝；氢氧化铝；铝酸盐
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-12-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01F 7/02
申请日 : 20200805
申请日 : 20200805
2020-11-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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