HiPIMS系统及减小HiPIMS放电电流延迟的方法
授权
摘要
本发明提供一种HiPIMS系统及减小HiPIMS放电电流延迟的方法，HiPIMS系统，包括真空室和电源，所述真空室包括阴极靶，所述电源在电源正极输出端具有电感，在阴极靶与阳极之间并联一个电容，该电容与所述电感形成LC串联振荡电路，利用LC振荡产生的高电压，实现气体快速击穿。本发明在不需要更改HiPIMS电源及额外的配置的情况下，利用辅助电路振荡实现快速的HiPIMS气体击穿放电，增加了脉冲期间向等离子体中的输入能量。
基本信息
专利标题 ：
HiPIMS系统及减小HiPIMS放电电流延迟的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112080728A
申请号 ：
CN202010807849.5
公开（公告）日 ：
2020-12-15
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
CN112080728B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
李刘合韩明月罗阳黄凯谢焕钧许浩徐长云
申请人 ：
北京航空航天大学
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路37号
代理机构 ：
北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
郭智
优先权 ：
CN202010807849.5
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/54
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-01-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20200812
申请日 : 20200812
2020-12-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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