一种DRAM内存驱动优化方法和装置

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摘要

本发明公开一种DRAM内存驱动优化方法和装置，其中装置包括一个处理器和一组以上的DRAM内存芯片，所述处理器包括N组的内存数据接口，内存数据接口的数量大于DRAM内存芯片的数量，每组的所述内存数据接口包括一对DQS差分信号引脚和M位数据引脚，每组的所述DRAM内存芯片包括两个DRAM内存芯片，每个DRAM内存芯片包括M/2位的数据引脚和一对DQS差分信号，每组中的两个DRAM内存芯片组成M位数据引脚并与处理器的一组内存数据接口的M位数据引脚一对一连接。本方案每个内存芯片单独连接处理器的一对DQS差分信号引脚，这样不存在处理器的一对DQS差分信号引脚连接两个内存芯片的情况。从而避免了信号相位差带来的存储问题。

基本信息

专利标题：

一种DRAM内存驱动优化方法和装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112115077A

申请号：

CN202010897360.1

公开（公告）日：

2020-12-22

申请日：

2020-08-31

授权号：

CN112115077B

授权日：

2022-04-19

发明人：

何灿阳

申请人：

瑞芯微电子股份有限公司

申请人地址：

福建省福州市鼓楼区软件大道89号18号楼

代理机构：

福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

徐剑兵

优先权：

CN202010897360.1

主分类号：

G06F13/10

IPC分类号：

G06F13/10