带有IGBT单元和电流电压感测及控制单元的半导体器件
授权
摘要
本发明提供一种带有IGBT单元和电流电压感测及控制单元的半导体器件，该半导体器件包括IGBT单元和电流电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括第一导电类型半导体集电极区、位于第一导电类型半导体集电极区上表面的第二导电类型半导体缓冲层、第二导电类型半导体缓冲层上表面的第二导电类型半导体漂移区；本发明在电流电压感测及控制单元中设置电流、电压采样感测区和采样控制区，其中电压采样与电流采样所使用的感测区与控制区相反，感测电极与采样电极在两种情况下也互为相反使用，对集电极电压和流经器件的电流实现可控的采样。
基本信息
专利标题 ：
带有IGBT单元和电流电压感测及控制单元的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112002756A
申请号 ：
CN202011017881.X
公开（公告）日 ：
2020-11-27
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
CN112002756B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
李泽宏杨洋林雨乐赵一尚李陆坪莫家宁何云娇胡汶金王彤阳
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202011017881.X
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 G01R19/00 G01R31/26
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-12-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20200924
申请日 : 20200924
2020-11-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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