带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件
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摘要
本发明提供一种带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件，包括MOS单元和电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括：第二导电类型半导体漏极区、位于第二导电类型半导体集电极区上表面的第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体集电极区下表面连接的漏极金属电极；本发明在电压感测及控制单元中设置电压采样感测区和采样控制区，对漏极电压实现可控的采样；在器件进行电压采样时，当漏极电压增大到某一电压时，电压采样感测区的电压开始随着漏极电压的进一步增加而增加，检测电压采样感测区的电压，来反映漏极电压，并通过改变电压采样控制区的电压来改变电压采样的起始点，实现一个可控制的电压采样。
基本信息
专利标题 ：
带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112071914A
申请号 ：
CN202011017870.1
公开（公告）日 ：
2020-12-11
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
CN112071914B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
李泽宏林雨乐杨洋赵一尚李陆坪莫家宁何云娇胡汶金王彤阳
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202011017870.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 G01R19/165
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-12-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20200924
申请日 : 20200924
2020-12-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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