一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法
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摘要
本发明公开了一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法。本发明采用的方法为：1）合金熔化：将合金加入中频炉，升温熔化；2）通氧吹炼：合金熔化后，中频炉断电，将吹氧管插入熔体中，利用空压机进行鼓气吹炼，并加入硅石造渣，空气流量4~6m3/h；3）升温加热：吹炼火光呈红色时，需停止吹炼，重新通电升温，将中频炉中物料熔化；4）出渣：将炉中造出的渣舀出，再回到步骤2、步骤3和步骤4，至空气量耗完结束；5）出合金：停止吹炼，将中频炉中的熔体倾倒至坩埚中，待冷却至室温取出，将样品取出进行渣铁分离，所述合金产品中硅、镁含量控制在0.05%以下。本发明主要是将含硅镁杂质的合金进行精炼，使得硅、镁含量均低于0.05%，且钴镍的回收率大于96%。
基本信息
专利标题 ：
一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112176192A
申请号 ：
CN202011018868.6
公开（公告）日 ：
2021-01-05
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
CN112176192B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
刘永东沈建中李德臣孙灿宁胡斌吴洁张占彦黄正奇
申请人 ：
衢州华友钴新材料有限公司;浙江华友钴业股份有限公司;衢州华友资源再生科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省衢州市高新技术产业园区(二期)廿新路18号
代理机构 ：
浙江翔隆专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张建青
优先权 ：
CN202011018868.6
主分类号 ：
C22B7/00
IPC分类号 ：
C22B7/00 C22B9/10
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C22
冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理
C22B
金属的生产或精炼；原材料的预处理
C22B7/00
处理非矿石原材料以生产有色金属或其化合物
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C22B 7/00
申请日 : 20200924
申请日 : 20200924
2021-01-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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