一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法及过共晶铝硅合金
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法，包括以下步骤：S1.将Al‑18Si过共晶铝硅合金加热至熔融状态，并进行保温处理；S2.将S1处理制得的过共晶铝硅合金在室温下冷却至液相线温度以下，并再次进行保温处理；S3.将S2处理制得的过共晶铝硅合金浇筑至铸型内，在室温下冷却凝固得到成品Al‑18Si过共晶铝硅合金。本发明仅仅降低了熔炼温度并保温较短时间就能有效改善抑制初生硅的析出，不使用变质剂及复杂的工艺，具有操作简单、对环境无污染和成本较低的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法及过共晶铝硅合金
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411000A
申请号 ：
CN202210041898.1
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王建华杜福林吴长军刘亚苏旭平
申请人 ：
常州大学
申请人地址 ：
江苏省常州市武进区湖塘镇滆湖中路21号
代理机构 ：
南京禹为知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
朱宝庆
优先权 ：
CN202210041898.1
主分类号 ：
C22C1/03
IPC分类号 ：
C22C1/03 C22C21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C22
冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理
C22C
合金
C22C1/00
有色金属合金的制造
C22C1/02
用熔炼法
C22C1/03
使用母合金
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C22C 1/03
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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