AlN纳米针垂直排列增强的Al基薄膜及其制备方法
实质审查的生效
摘要
一种AlN纳米针垂直排列增强的Al基薄膜及其制备方法，采用基于物理气相沉积镀膜技术的反应沉积方法，通过控制Al、N两种组分的特定比例和接近Al熔点的基材温度，利用Al和AlN在高温下的两相分离生长和Al对高熔点AlN柱状晶的润湿效应制备得到针状AlN纳米柱状晶垂直排列于Al基体中结构的复合薄膜。作为金属的表面涂覆层材料，本发明通过垂直排列的高硬度AlN纳米针对外载的承受能力使薄膜获得高硬度，而连续Al基体的形变能力则使薄膜能够保持较高的韧性和耐磨性。
基本信息
专利标题 ：
AlN纳米针垂直排列增强的Al基薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114277333A
申请号 ：
CN202011029919.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马冰洋尚海龙齐小犇李荣斌黄子瑶李戈扬
申请人 ：
上海交通大学;上海电机学院;马鞍山经济技术开发区建设投资有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海交达专利事务所
代理人 ：
王毓理
优先权 ：
CN202011029919.5
主分类号 ：
C23C14/06
IPC分类号 ：
C23C14/06 B82Y40/00 C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/06
申请日 : 20200927
申请日 : 20200927
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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