一种晶界可调控的钕铁硼磁体制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种晶界可调控的钕铁硼磁体制备方法，通过晶界的调控控制钕铁硼磁体性能，扩散源与钕铁硼磁体形成钕铁硼磁体中间体，钕铁硼磁体中间体的化学成分按照质量百分比表示为[R1xR2yR31‑x‑y]aMbBcFe100‑a‑b，其中0.8≤x≤1，0≤y≤0.08，32≤a≤38，0.5≤b≤7，0.9≤c≤1.2，R1是指Nd、Pr、Ce中的一种或多种，R2是指La、Sm中的一种或多种，R3是指Tb、Dy、Ho中的一种或多种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Nb、Mo、Sn中的多种组，然后将钕铁硼磁体中间体装炉，进行高温、时效处理，本发明的无重稀土矫顽力性能可高于25 kOe，含重稀土磁体经处理后矫顽力性能可高于29kOe。
基本信息
专利标题 ：
一种晶界可调控的钕铁硼磁体制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112133552A
申请号 ：
CN202011051159.8
公开（公告）日 ：
2020-12-25
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
CN112133552B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
王传申杨昆昆彭众杰丁开鸿
申请人 ：
烟台首钢磁性材料股份有限公司
申请人地址 ：
山东省烟台市福山区永达街888号
代理机构 ：
亳州速诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张辉
优先权 ：
CN202011051159.8
主分类号 ：
H01F41/02
IPC分类号 ：
H01F41/02 C22C38/06 C22C38/16 C22C38/14 C22C38/10 C22C38/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F41/00
专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法
H01F41/02
用于制造磁芯、线圈或磁体的
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-01-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 41/02
申请日 : 20200929
申请日 : 20200929
2020-12-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN112133552A.PDF
PDF下载
