本发明提供了一种先驱体加入纳米Si粉制备净SiC陶瓷的方法。所述方法包括以一定质量比的SiC陶瓷粉，纳米Si粉以及SiC陶瓷先驱体通过共混无压烧结进行制备。传统的碳化硅陶瓷材料采用加压成型烧结或热压烧结进行，对设备的要求较高，工艺复杂成本昂贵，且加工性能差。相比较传统碳化硅陶瓷制备方法，采用先驱体作为粘结剂制备SiC陶瓷得到了广泛的关注，此方法工艺简单，烧结温度低，对设备要求低，成本低廉；但是先驱体在裂解过程后得到的产物为非化学计量比的SiC非晶，一般情况下会有较多的裂解碳残留，对材料的高温性能影响较大。针对这个缺点，本方法通过在体系中加入纳米Si粉与裂解碳进行反应生成SiC，最终得到了符合化学计量比的SiC陶瓷。