一种吸波陶瓷先驱体及其制备方法
授权
摘要
本发明提供了一种吸波陶瓷先驱体及其制备方法，该方法包括：以聚碳硅烷和/或聚硅烷为原料，将聚碳硅烷和/或聚硅烷的Si(H)1转化为Si(H)a，a为2或3，得到的产物中硅氢键的含量为0.79mol～2.6mol/100g；再将步骤1得到的产物与含有K的金属化合物按照质量比1：0.3～10的比例在50～400℃下反应1～20h，制得吸波陶瓷先驱体；其中，K为Zr，Be，Y，Cr，Mn，Fe，Co，Cu，Ni，Ti，V，Nb，Mo，Hf，Ta和W中的任意一种。本发明制得的吸波陶瓷先驱体不仅具备高含量的硅氢键和K，且硅氢键与K的含量可调节，为后续的应用奠定良好的基础。
基本信息
专利标题 ：
一种吸波陶瓷先驱体及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112279665A
申请号 ：
CN202011230000.2
公开（公告）日 ：
2021-01-29
申请日 ：
2020-11-06
授权号 ：
CN112279665B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
顾喜双周永江郏保琪曹义张雄军尚来东蒋博
申请人 ：
浙江华茂航天科技股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市海曙区横街镇万华村(华茂文教5幢、6幢厂房)
代理机构 ：
长沙国科天河知识产权代理有限公司
代理人 ：
闵亚红
优先权 ：
CN202011230000.2
主分类号 ：
C04B35/80
IPC分类号 ：
C04B35/80 C04B35/571 C04B35/622
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/71
含有宏观增强剂的陶瓷制品
C04B35/78
含非金属材料的
C04B35/80
纤维、单丝、晶须、薄片或其他类似材料
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-02-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/80
申请日 : 20201106
申请日 : 20201106
2021-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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