一种功率MOS的被动快速关断电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种功率MOS的被动快速关断电路，属于MOSFET驱动技术领域，包括：PWR电源；MOS晶体管Q1，PWR电源的驱动电压端V_PWR+与MOS晶体管Q1的输入端连接；快速泄放电路，其中，快速泄放电路包括：正反馈泄放电路，用以快速泄放MOS晶体管Q1的电容，正反馈泄放电路包括三极管Q2和三极管Q3，三极管Q2的集电极与三极管Q3的基极连接，三极管Q2的基极与三极管Q3的集电极连接，MOS晶体管Q1的G极与三极管Q2的发射极连接，三极管Q3的发射极与MOS晶体管Q1的S极连接；以及泄放电阻R1，为正反馈泄放电路启动提供初始偏置电流。本发明实现了不受Vgs电压高低而限制，在关断过程中都拥有快速泄放能力，同时拥有开启时低功耗，保护时快速泄放的优势的电路。
基本信息
专利标题 ：
一种功率MOS的被动快速关断电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114362731A
申请号 ：
CN202011082104.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张许峰
申请人 ：
福州市瓦涵新能源科技有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县南通镇陈厝村
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011082104.3
主分类号 ：
H03K17/042
IPC分类号 ：
H03K17/042 H03K17/082 H03K17/687
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/042
申请日 : 20201012
申请日 : 20201012
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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